IT之家 12 月 11 日音讯，韩媒 hankooki 当地时分昨日暗示，三星电子由于 8 层、12 层堆叠 HBM3E 内存样品质能未达英伟达条目，难以在本年内认真启动向这家大客户的供应，骨子供货将落到 2025 年。

　　报谈暗示，三星电子早在 2023 年 10 月就初始向英伟达供应 HBM3E 内存的质地测试样品，但一年多的时安分三星 HBM3E 的认证经由并未赢得彰着弘扬。

　　韩媒征引音讯东谈主士的不雅点称，由于 SK 海力士在 HBM3E 上的逾越地位，骨子上为这一类型的利基内存笃定了性能参数尺度，而三星电子的 HBM3E 在发烧和功耗等性能参数上无法兴盛英伟达的条目。

　　据悉，三星电子的 HBM3E 未能得到英伟达供承诺可，主要成分并非与 SK 海力士接纳了不同的键合工艺。

　　IT之家注：

　　SK 海力士在 HBM3E 上使用了批量回流模制底部填充 MR-RUF 键合时代开云(中国)Kaiyun·官方网站 - 登录入口，而三星电子与好意思光则皆是 TC-NCF 热压非导电薄膜。